Qualcomm anuncia al Snapdragon 835, su primer procesador de 10nm

Qualcomm anunció hoy a su nuevo procesador Snapdragon 835, un chip que será fabricado por Samsung mediante un proceso de FinFET de 10nm, siendo el primero en utilizarlo - el Snapdragon 821 utiliza un proceso de 14nm. El Snapdragon 835 provee 27 por ciento de mejora de performance con 40 por ciento menor consumo, de acuerdo con Qualcomm, resultando en una enorme mejora a la duración de la batería.

Los primeros smartphones con procesador Snapdragon 835 llegarán en la primera mitad del 2017, posiblemente con el Samsung Galaxy S8 - si es que la colaboración entre ambas compañías incluye alguna ventaja para Samsung.

El Snapdragon 821 incorpora Quick Charge 4.0, el nuevo protocolo de carga rápida que permite cargas de hasta un 20 por ciento más rápido respecto de la generación anterior. Según Qualcomm, con solo cinco minutos se obtiene hasta cinco horas de batería y en 15 minutos, los smartphones con el Snapdragon 835 podrán cargar la mitad de la batería.

Recientemente surgió controversia respecto a estos métodos propietarios de carga rápida que no cumplen las especificaciones de USB-C y podrían ser prohibidas en smartphones Android por Google. Qualcomm asegura que Quick Charge 4.0 utiliza una tecnología conocida como INOV que es compatible con los lineamientos de carga USB Type-C y agrega capaz de protección extra como monitoreo de corriente, tensión y calor para proteger la batería - y ser compatible con el standard que Google sugiere seguir en sus lineamientos de Android.